Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
4

The impact of hydrogen on indium incorporation and surface accumulation in InAlN epitaxy

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 450 KB
english, 2011
8

The Spatial Distribution of Threading Dislocations in Gallium Nitride Films

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 174 KB
english, 2009
11

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
english, 2004
19

Optimisation of GaN overgrowth of InAlN for DBRs

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.80 MB
english, 2009
20

Q-factor measurements on planar nitride cavities

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 287 KB
english, 2010
24

An FT-IR study of adsorption of sulfur dioxide on alpha- and gamma-alumina

Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 243 KB
english, 1988
25

Evaluation of a zero-discharge reactor for the chemical vapor deposition of mercury telluride

Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 576 KB
english, 1997
26

The negligible effects of miscut on indium aluminium nitride growth

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.12 MB
english, 2012
30

Reaction Chemistry of ZnTe Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 392 KB
english, 1997
33

Characterization of unintentional doping in nonpolar GaN

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 763 KB
english, 2010